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제품 소개뇌 서지 방지 장치

폴리머는 110kV를 충족시켜 단락을 위한 뇌 서지 방지 장치를 수용했습니다

인증
중국 Shendian Electric Co. Ltd 인증
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폴리머는 110kV를 충족시켜 단락을 위한 뇌 서지 방지 장치를 수용했습니다

폴리머는 110kV를 충족시켜 단락을 위한 뇌 서지 방지 장치를 수용했습니다
폴리머는 110kV를 충족시켜 단락을 위한 뇌 서지 방지 장치를 수용했습니다

큰 이미지 :  폴리머는 110kV를 충족시켜 단락을 위한 뇌 서지 방지 장치를 수용했습니다

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Xi'an Shendian
인증: IEC 60099-4/ GB 11032
모델 번호: YH*WR-XX/XX
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1개
가격: To be determined.
포장 세부 사항: 항해에 적합한 패키지/ 고객이 지정했습니다.
배달 시간: Ex-work 1주일~1개월은 수량에 따라 다릅니다.
지불 조건: <i>T/T;</i> <b>티/티;</b> <i>L/C.</i> <b>신용장</b>
공급 능력: 050만 개/년.

폴리머는 110kV를 충족시켜 단락을 위한 뇌 서지 방지 장치를 수용했습니다

설명
소재: 금속-산소 종류: 갈라진 틈이 없습니다
사용: 야외인 Indoor/ 색상: Red/ Grey/ 고객은 상술했습니다
공칭전압: 3kV~ 110kV 공칭 방전 전류: 5kA/ 10kA
부싱 틈새 차원: Φ88mm~ Φ377mm 높이: 200mm~ 2200 밀리미터
하이 라이트:

110kV 션트 보상 폴리머 하우징 서지 피뢰기

,

션트 보상 폴리머 하우징 서지 피뢰기

,

션트 보상 폴리머 하우징 서지 피뢰기 Shendian

션트 보상 폴리머 랩리스 서지 어레스터

 

제품 소개:

폴리머에 장착 된 금속 산화물 전압 차단기 (MOA) 는 유기 단열 재료와 포르셀린에 장착 된 MOA의 장점을 결합합니다. 좋은 전기 성능, 높은 변압 강도,고온/저온 저항성, 고화질의 실리콘 고무로 만들어집니다.밀폐 성능을 향상시키는 통합형조 및 경화 공정에 의해 형성됩니다., 서비스 수명 및 납품 시간.
 
금속 산화물 바리스토르는 PBT로 포장되고 고정됩니다. 그 후 바리스토르 막대는 PBT로 처리됩니다.화산화 이러한 독특한 기술은 SA 전기 성능을 크게 향상시키고 생산 시간을 단축합니다.
 
Shendian은 중국에서 SA의 주도권을 차지합니다.주력망에 널리 사용되고 있습니다. 중국 기업 (SGCC) 과 중국 남부 전력망 (CSG), 그 중에서도 많은 비범한 프로젝트:
(1) 1000kV UHV 동남 산시 하위 역 난양-징멘 UHVAC 파일럿 시범 프로젝트
(2) 1000kV 나낭의 확장 공사 1000kV의 스위치 스테이션 동남 산시 - 난양 - 진멘 UHV AC 파일럿 시범 시범 프로젝트
(3) ±800kV의 남 하미 변환 역 하미-?? 주 UHVDC 전기 전송 프로젝트
(4)750kV 청하이 카이담 서브 스테이션과 500kV 바오지-데양 DC 전력 전송 프로젝트
(5) 500kV DC 프로젝트 CSG의 헤치 서브 스테이션,
(6) 500kV 안성 DC 프로젝트 구이저우 전력망 회사와 시안 첨단 기술 구역의 330kV 산싱 전력소
 
 
장점:
1/ 소량 부분 방출
2/ 낮은 잔류 전압;
2/ 높은 다이 일렉트릭 단열 수준
3/ 높은 온도/저온에 대한 관용
4/ 폭발 방지
5/ 반성식 및노화
6/ 더 나은 항 지진;
7/ 보다 짧은 기간 (근로 후 2주 이상)
 
 
표준 기술 데이터:
아래의 정보는 참고용으로만 제공되며, 모든 데이터는 기술 사양과 고객 요구에 따라 지정 및 결정됩니다.
 
A: 정형 시스템 전압 ≤10kV
항목 설명   제안 제안 제안 제안 제안
1 제조/ 원산지   시안 셰인디안/중국
2 모델   YH5WR-5/13.5 YH5WR-10/27 YH5WR-12/324 YH5WR-15/40.5 YH5WR-17/46
3 적용되는 표준   IEC 60099-4 IEC 60099-4 IEC 60099-4 IEC 60099-4 IEC 60099-4
4 종류   외부, ZnO, 틈이 없는
5 시스템 정규 전압 kV 3 6 10 10 10
6 어더링 시스템   효과적 인 토착
7 명목 주파수 Hz 50/60 50/60 50/60 50/60 50/60
8 SA의 명소 전압 kV 5 10 12 15 17
9 최대 연속 작동 전압 kV 4 8 9.6 12 13.6
10 전력 주파수 기준 전압 kV 7.2 14.4 17.4 21.8 24
11 - 기준 전류에서
참고: 최고값 또는 rms를 지정합니다.

mA

(DC)

1 1 1 1 1
12 명목 배열 전류 kA 5 5 5 5 5
13 (a) 번개 충동 kV ≤135 ≤27 ≤324 ≤ 405 ≤46
(b) 전환 충동 kV ≤105 ≤21 ≤252 ≤315 ≤35
14 일련의 비선형 저항에 사용되는 재료   ZnO 등 ZnO 등 ZnO 등 ZnO 등 ZnO 등
15 포착장:            
- 재료   폴리머 폴리머 폴리머 폴리머 폴리머
- 최소한의 이동 거리는 mm/kV 25/31 25/31 25/31 25/31 25/31
16 - HV 터미널   핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루
- 지구 터미널   핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루
17 부시 쉐드의 지름 mm 88 88 88 88 88
18 높이 mm 200 200 255 255 255

 

 

스케마 다이어그램:
폴리머는 110kV를 충족시켜 단락을 위한 뇌 서지 방지 장치를 수용했습니다 0
 

B: 시스템 이름 전압 ≤35kV

항목 설명   제안 제안 제안
1 제조/ 원산지   시안 셰인디안/중국
2 모델   YH5WR-26/66 YH5WR-32/85 YH5WR-51/134
3 적용되는 표준   IEC 60099-4 IEC 60099-4 IEC 60099-4
4 종류   외부, ZnO, 틈이 없는
5 시스템 정규 전압 kV 20 20 35
6 어더링 시스템   효과적 인 토착
7 명목 주파수 Hz 50/60 50/60 50/60
8 SA의 명소 전압 kV 26 32 51
9 최대 연속 작동 전압 kV 20.8 25.6 40.8
10 전력 주파수 기준 전압 kV 37 47 73
11 - 기준 전류에서
참고: 최고값 또는 rms를 지정합니다.
mA (D.C) 1 1 1
12 명목 배열 전류 kA 5 5 5
13 (a) 번개 충동 kV ≤ 66 ≤ 85 ≤134
(b) 전환 충동 kV ≤53 ≤68 ≤105
14 일련의 비선형 저항에 사용되는 재료   ZnO 등 ZnO 등 ZnO 등
15 포착장:        
- 재료   폴리머 폴리머 폴리머
- 최소한의 이동 거리는 mm/kV 25/31 25/31 25/31
16 - HV 터미널   핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루
- 지구 터미널   핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루
17 부시 쉐드의 지름 mm 120 120 120
18 높이 mm 345 405 525


스케마 다이어그램:

폴리머는 110kV를 충족시켜 단락을 위한 뇌 서지 방지 장치를 수용했습니다 1
 

C: 시스템 명소 전압 ≤110kV

항목 설명   제안 제안 제안 제안 제안
1 제조/ 원산지   시안 셰인디안/중국
2 모델   YH5WR-84/221 YH5WR-90/236 YH10WR-105/265 YH10WR-108/281 YH10WR-174/372
3 적용되는 표준   IEC 60099-4 IEC 60099-4 IEC 60099-4 IEC 60099-4 IEC 60099-4
4 종류   외부, ZnO, 틈이 없는
5 시스템 정규 전압 kV 66 66 66 110 110
6 어더링 시스템   효과적 인 토착
7 명목 주파수 Hz 50/60 50/60 50/60 50/60 50/60
8 SA의 명소 전압 kV 84 90 105 108 174
9 최대 연속 작동 전압 kV 67.2 72.5 84 84 139
10 전력 주파수 기준 전압 kV 121 130 152 157 240
11 - 기준 전류에서
참고: 최고값 또는 rms를 지정합니다.

mA

(DC)

1 1 1 1 1
12 명목 배열 전류 kA 5 5 10 10 10
13 (a) 번개 충동 kV ≤221 ≤236 ≤265 ≤ 281 ≤372
(b) 전환 충동 kV ≤176 ≤190 ≤225 ≤239 ≤336
14 일련의 비선형 저항에 사용되는 재료   ZnO 등 ZnO 등 ZnO 등 ZnO 등 ZnO 등
15 포착장:            
- 재료   폴리머 폴리머 폴리머 폴리머 폴리머
- 최소한의 이동 거리는 mm/kV 25/31 25/31 25/31 25/31 25/31
16 - HV 터미널   핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루
- 지구 터미널   핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루 핫 칩 스크루
17 부시 쉐드의 지름 mm 195 195 195 195 377
18 높이 mm 1296 1296 1296 1296 2200


 

스케마 다이어그램:

폴리머는 110kV를 충족시켜 단락을 위한 뇌 서지 방지 장치를 수용했습니다 2  폴리머는 110kV를 충족시켜 단락을 위한 뇌 서지 방지 장치를 수용했습니다 3

 

 

 

참고:
1/ 선디안 MOA는 주력 전력망, 남부 전력망의 중국 EHV (엑스트라 고전압) 프로젝트에서 널리 사용됩니다.
2/ 20년 이상 ABB/시멘스/슈나이더와 다른 콘덴서/스위치 제조업체에 MOA를 공급했습니다.
3/ 쉐냐 MOA는 전 세계 30개 이상의 카운티에 수출되었습니다.

Substation Polymer Gapless Surge Arrester 8

 

연락처 세부 사항
Shendian Electric Co. Ltd

담당자: Mr. xue feng

전화 번호: +86 13709223751

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